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[实用新型]一种非晶态发热器-CN02257576.6无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2002-09-29 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： H05B3/20 文献下载
摘要：本实用新型属于一种非晶态发热器，由电源线和绝缘板所组成，在绝缘板上绕有非晶态带材，或在绝缘板一侧面设有非晶态带材，或在绝缘板两侧面设有非晶态带材，或在绝缘板上绕有非晶态线材，或在绝缘板一侧面设有非晶态线材，或在绝缘板两侧面设有非晶态线材，电源线连接非晶态带材，或非晶态线材的两端，非晶态带材，或非晶态线材的外端面设有饰面。其以非晶态材料作为发热材料，具有耗电少和发热功率高，重量轻，可作为饰物悬托和美观的优点。
一种晶态发热

[发明专利]具有晶态非晶态协同催化界面的电极材料及其制备方法-CN202110839910.9有效
发明人：杨春明;周立海;胡玉娟;卞玉洁;任宇飞;张瑞娜;王传涛;闫挺;甄延忠;付峰 -专利权人：延安大学
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶态非晶态协同催化界面的电极材料，包括由晶态Ni(OH)2和非晶态NiMoS组成，其中非晶态NiMoS是由Ni(OH)2转化得到，晶态Ni(OH)2和非晶态NiMoS之间形成了协同催化界面。本发明还公开了一种具有晶态非晶态协同催化界面的电极材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，在钛网上制备原位生长的晶态Ni(OH)2纳米片前驱体；步骤2，对步骤1得到的晶态Ni(OH)2纳米片前驱体进行钼硫化处理，制备得到晶态Ni(OH)2非晶态NiMoS具有协同催化界面的电极材料
具有晶态协同催化界面电极材料及其制备方法

[发明专利]非晶态材料收缩率的测定方法-CN201510989626.4在审
发明人：王俊峰;张广涛;李俊锋;王丽红;闫冬成 -专利权人：芜湖东旭光电装备技术有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： G01N25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶态材料收缩率的测定方法，属于非晶态材料加工领域，包括如下步骤：除去非晶态材料表面杂质，所述非晶态材料的密度大于水的密度；测定所述的非晶态材料的质量，将所述的非晶态材料放入水温为T的水中测定其悬水重；将所述的非晶态材料进行热处理得到收缩的非晶态材料；将所述的收缩的非晶态材料放入水温为T的水中测定其悬水重；计算所述的非晶态材料的线性收缩率。
晶态材料收缩测定方法

[发明专利]采用脉冲电弧在晶态合金表面获得非晶层或晶态与非晶复合层的合金方法-CN201610457744.5有效
发明人：张涛;左磊 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用脉冲电弧在晶态合金表面获得非晶层或晶态与非晶复合层的合金方法，该方法应用脉冲电弧使晶态合金基体表面瞬间融化，随之在通过冷却介质和晶态合金基体的冷却下实现快速凝固，从而在晶态合金基体表面获得非晶层或晶态与非晶复合层相较于传统晶态合金，将具有非晶层或晶态与非晶复合层的晶态合金制成用于电解水的阳极析氧电极，具有更好的析氧催化活性。
采用脉冲电弧晶态合金表面获得非晶层复合方法

[发明专利]用模块化方式制备非晶态合金定子铁芯的方法-CN200910105338.2有效
发明人：石雷;卢娟;谢伟 -专利权人：深圳华任兴科技有限公司
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H02K15/02 文献下载
摘要：用模块化方式制备非晶态合金定子铁芯的方法，所述方法实施于由非晶态合金带材制成的非晶态合金叠片堆，沿层叠厚度方向，将所述非晶态合金叠片堆切割成具有径向厚度的瓦片状弧形柱面体，并在该弧形柱面体内面切割出用于嵌入绕组的槽位，从而制成非晶态合金定子模块；将N个非晶态合金定子模块组合联结成一个完整的环形定子铁芯。本发明采用模块化非晶态合金定子设计，摆脱整体切割制备非晶态合金定子的技术思路束缚，使所述模块化非晶态合金定子不再受到非晶态合金带材的最大宽度限制，使其适用于直径较大的电机，扩展了非晶态合金定子铁芯的适用范围
模块化方式制备非晶态合金定子方法

[实用新型]一种非晶态环形磁芯-CN201220365122.7有效
发明人：关光基;关光璋;任培芳;关光智;揭爱平 -专利权人：东莞市晶磁科技有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01F3/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非晶态环形磁芯，主要涉及工业制作领域，尤其涉及卷片式非晶态磁芯的制作领域。该非晶态环形磁芯包括卷片式非晶态环形铁芯及绝缘环形小盒，卷片式非晶态环形铁芯固定于绝缘环形小盒内，卷片式非晶态环形铁芯与绝缘环形小盒间的空隙由一种缓冲介质填充，该缓冲介质为固态软胶或液态胶，液态胶为硅油该非晶态环形磁芯内缓冲介质的应用，使得卷片式非晶态环形铁芯被更好地固定，使得制作出的电感更为稳定；缓冲介质附于卷片式非晶态环形铁芯表面，使得外部线圈卷绕磁芯时不对卷片式非晶态环形铁芯产生力的作用，不使非晶态环形铁芯发生形变
一种晶态环形

[发明专利]阿德福韦酯新晶态、晶态组合物、制备方法及应用-CN200610152997.8有效
发明人：闫敬武 -专利权人：闫敬武
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C07F9/6561 文献下载
摘要：本发明描述了9－[(2－膦酰甲氧基)乙基]腺嘌呤双特戊酰氧甲基酯(阿德福韦酯)的一种新晶态和晶态组合物；本发明还描述了阿德福韦酯晶态组合物的制备方法，本发明的晶态组合物含有该晶态和非晶态，具有规模之工业生产的性能；本发明还描述了该晶态组合物在药物制剂中的应用。
阿德福韦酯新晶态组合制备方法应用

[发明专利]块体非晶态合金管及其复合管的多层爆炸焊接技术-CN01128249.5无效
发明人：李晓杰;阎鸿浩;孙明;王金相;董守华;奚进一;王宇新;杨文彬 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2001-09-28 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： B23K20/08 文献下载
摘要：本发明属于爆炸焊接技术领域，提供了一种将多层非晶态合金薄膜固结成为块体非晶态合金管，以及与普通金属材料焊接成复合管的柱对称爆炸焊接方法。其特征是以非晶态合金薄膜为原料，将非晶态合金薄膜卷在芯棒上，通过调节非晶态合金薄膜卷的松紧程度，控制薄膜间的爆炸焊接间隙，将非晶态合金薄膜卷放置在柱对称的飞管打击装置的正中，对金属飞管与非晶态合金薄膜、非晶态合金薄膜与薄膜间进行爆炸焊接；通过除去芯棒，制成内层表层为非晶态合金的复合管，再除去外层金属飞管制成块体非晶态合金管。本发明的优点是可焊接各种非晶态合金薄膜，保持合金的非平衡态特征，并可减少合金块体中的缺陷，防止合金块体变形断裂。
块体非晶态合金及其复合管多层爆炸焊接技术

[发明专利]形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置-CN201010106376.2无效
发明人：梅津畅彦;稻垣敬夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置，该方法包括步骤：在基板上形成非晶态半导体薄膜；通过将激光照射至非晶态半导体薄膜，在非晶态薄膜上选择性地进行热处理，并且使对应于照射区的非晶态半导体结晶，从而为每个元件区域局部地形成晶态半导体薄膜；以及检测晶态半导体薄膜的结晶度。该检测步骤包括步骤：通过将光照射至晶态半导体薄膜和非晶态半导体薄膜，获得基于结晶区和未结晶区之间的光相位差的光学阶差，以及晶态半导体薄膜的选分和晶态半导体薄膜的结晶度的控制二者或其中之一进行评价。
形成半导体薄膜方法检测装置

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN98101627.8无效
发明人：山本一郎 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-04-22 - 公布日： 1998-11-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：在制作半导体器件过程中,在形成于硅衬底之上的氧化硅薄膜上,形成具有预定厚度并且与硅衬底电连接的非晶态硅层。通过非晶态硅层进行离子注入,由此混合氧化硅膜与非晶态硅层之间的界面。通过退火非晶态硅层并照射预定材料,在非晶态硅层表面形成成核体。把有成核体的非晶态硅层进行退火,以成核体为中心,在非晶态硅表面形成凸起。
半导体器件制作方法

[发明专利]非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法-CN201210405847.9无效
发明人：史衍丽;余连杰;何雯瑾;邓功荣;李雄军;杨丽丽;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接其制备工艺步骤为衬底清洗、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属电极制备和封装测试；或者为衬底清洗、金属第二电极制备、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属第一电极制备和封装测试。本发明中的非晶态半导体材料对衬底无选择性，组成异质结的材料之间的晶格匹配性能较好，并具有显著的光电响应。
晶态碲镉汞硅异质结红外探测器及其制造方法

[发明专利]一种镍基非晶态合金改性切割钢线-CN201110181081.6无效
发明人：励征 -专利权人：蒙特集团（香港）有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶态改性切割钢线，由金属线及包覆在金属线外表面的非晶态合金层组成，该非晶态合金为镍基非晶态合金。镍基非晶态合金改性钢线能进一步提高切割效率，降低成本。
一种非晶态合金改性切割

[发明专利]光记录介质及信息记录与重放装置-CN89106296.3无效
发明人：前田佳均;生田勳;安藤寿;永井正一;加藤义美;佐藤美雄;坪井信义;峯邑浩行 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1989-06-24 - 公布日： 1992-09-16 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用非晶态—晶态相变进行记录和擦除的光记录介质，其中记录膜结构的光学记录介质处于非晶态时的反射率大于记录膜结构的光学记录介质处于晶态时的反射率，或者记录膜结构的光学记录介质处于非晶态时的吸收率于记录模结构的光学记录介质处于晶态时的吸收率
记录介质信息重放装置

[发明专利]非晶态或部分非晶态的纳米级离子贮存材料-CN200680051496.9有效
发明人： Y－M·常;A·E·普伦;N·米通 -专利权人： A123系统公司
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01M4/52 文献下载
摘要：提供了非晶态或部分非晶态的纳米级离子贮存材料。例如，锂过渡金属磷酸盐贮存材料在制得的状态中是纳米级且非晶态或部分非晶态，或者在锂的电化学插入或脱插时变为非晶态或部分非晶态。
晶态部分纳米离子贮存材料

[发明专利]栅极及其制作方法-CN201410098617.1有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：该栅极至少包括非晶态的栅极金属层，其中非晶态的栅极金属层为非晶态金属合金材料层或非晶态金属化合物材料层，非晶态金属合金材料层由包括至少两种金属元素的非晶态物质形成；非晶态金属化合物材料层由包括至少一种金属元素和至少一种选自ⅢA主族、ⅣA主族、和ⅤA主族中的非金属元素的非晶态物质形成。由于上述非晶态的栅极金属层的原子呈无规则、均匀分布，不存在晶粒及晶界，因此非晶态的栅极金属层中能够引起载流子发生复合的缺陷很少，使得栅极中载流子的迁移率得到增加，且载流子能够均匀分布，进而改善了栅极中阈值电压分布不均匀的问题
栅极金属层非晶态载流子主族非晶态金属合金化合物材料层非晶态金属非晶态物质金属元素材料层阈值电压分布非金属元素晶粒不均匀迁移率无规则晶界制作复合申请

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